IRF630NL

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-262

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF630NL@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF630NL фото 1 IRF630NL фото 1
IRF630NL фото 2 IRF630NL фото 2
IRF630NL фото 3 IRF630NL фото 3
IRF630NL

Анализ рынка IRF630NL@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF630NL

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN Obsolescence EOL
Multiple Devices 25Apr2014
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
575pF @ 25V
Power - Max
82W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRF630NLPBF
обновлено 26-10-2020
IRF630NL%40INFIN