IRF530NL

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 100В; 17А; 79Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF530NL@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF530NL фото 1 IRF530NL фото 1
IRF530NL фото 2 IRF530NL фото 2
IRF530NL

Анализ рынка IRF530NL@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF530NL

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
920pF @ 25V
Power - Max
3.8W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRF530NLPBF
обновлено 24-10-2020
IRF530NL%40INFIN