IRF3717

Купить со склада от 28,00 руб

Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 20В; 20А; 2,5Вт; SO8

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3717@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IRF3717 фото 1 IRF3717 фото 1
IRF3717 фото 2 IRF3717 фото 2
IRF3717 фото 3 IRF3717 фото 3
IRF3717

Анализ рынка IRF3717@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
1057
от 1000
46,10 p
Склад
1-2
3325
от 3099
28,00 p
Склад
9
1046
от 1000
50,70 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF3717

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
20 A
Rds On - Drain-Source Resistance
5.7 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
22 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Fall Time
6 ns
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Rise Time
14 ns
Factory Pack Quantity
3800
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
15 ns
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
Width
3.9 mm
Unit Weight
0.019048 oz
обновлено 26-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622308 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 28.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 6487 шт.

IRF3717%40INFIN