IRF3708

Купить со склада от 52,10 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 30В; 62А; 87Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3708@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
2.7800 грамм
IRF3708 фото 1 IRF3708 фото 1
IRF3708 фото 2 IRF3708 фото 2
IRF3708 фото 3 IRF3708 фото 3
IRF3708

Анализ рынка IRF3708@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
210
от 210
55,10 p
Склад
6
1216
от 1000
52,10 p
Склад
8
3411
от 2000
68,00 p
Склад
8
2050
от 1000
61,20 p
Склад
9
14285
от 10000
55,20 p
Склад
71
2800
от 1000
52,10 p
Завод
 

Технические характеристики IRF3708

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Process Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
30
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??12
Maximum Continuous Drain Current - (A)
62
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
12@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
24@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
2417@15V
Maximum Power Dissipation - (mW)
87000
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220AB
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Automotive
No
обновлено 26-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622300 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 52.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 37628 шт.

IRF3708%40INFIN