IRF3704ZL

МОП-транзистор 20V 1 N-CH HEXFET 7.9mOhms 8.7nC

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3704ZL@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF3704ZL фото 1 IRF3704ZL фото 1
IRF3704ZL фото 2 IRF3704ZL фото 2
IRF3704ZL фото 3 IRF3704ZL фото 3
IRF3704ZL

Анализ рынка IRF3704ZL@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF3704ZL

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
MOSFETs, GaNFETs - Single
Series
HEXFET®
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.9 mOhm @ 21A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
67A
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
1220pF @ 10V
Power - Max
57W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 (Straight Leads)
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRF3704ZLPBF
обновлено 26-10-2020
IRF3704ZL%40INFIN