IRF2903Z

Купить со склада от 60,40 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 30В; 260А; 290Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF2903Z@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.7667 грамм
IRF2903Z фото 1 IRF2903Z фото 1
IRF2903Z фото 2 IRF2903Z фото 2
IRF2903Z фото 3 IRF2903Z фото 3
IRF2903Z

Анализ рынка IRF2903Z@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
10
от 10
71,70 p
Склад
1-2
164
от 100
101,00 p
Склад
1-2
231
от 200
60,40 p
Склад
6
900
от 100
104,00 p
Склад
3
20
от 14
114,00 p
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF2903Z

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
120 S
Height
16.51 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
260 A
Maximum Drain Source Resistance
2.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
290 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
6320 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
24 ns
Typical TurnOff Delay Time
48 ns
Width
4.83 mm
обновлено 17-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622291 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 60.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 3052 шт.

IRF2903Z%40INFIN