IRF2903Z
Купить со склада от 121,00 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 30В; 260А; 290Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
2.7667 грамм
Анализ рынка IRF2903Z@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
1000
от 1000
340,00 p
Склад
1-2
50
от 50
211,00 p
Склад
12
167
от 100
145,00 p
Склад
Склад
Склад
1-2
50
от 50
211,00 p
Технические характеристики IRF2903Z
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below
PCN AssemblyOrigin
Backend Wafer Transfer 23Oct2013Warehouse Transfer 29Jul2015
PCN Packaging
Package Drawing Update 19Aug2015
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
6320pF @ 25V
Power - Max
290W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Online Catalog
N-Channel Standard FETs
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
622291
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 121.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 1540 шт.
IRF2903Z%40INFIN