IRF1312

МОП-транзистор 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1312@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF1312 фото 1 IRF1312 фото 1
IRF1312 фото 2 IRF1312 фото 2
IRF1312 фото 3 IRF1312 фото 3
IRF1312

Анализ рынка IRF1312@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF1312

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
RoHS Information
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
MOSFETs - Single
Series
*
Mounting Type
Through Hole
FET Polarity
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 57A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
5450pF @ 25V
Power - Max
3.8W
Packaging
Bulk
Gate Charge (Qg) @ Vgs
140nC @ 10V
Package Case
TO-220-3 (TO-220AB, Straight Leads)
FET Feature
Standard
Other Names
*IRF1312PBF
обновлено 24-10-2020
IRF1312%40INFIN