IRF1302

Trans MOSFET N-CH Si 20V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1302@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF1302 фото 1 IRF1302 фото 1
IRF1302 фото 2 IRF1302 фото 2
IRF1302

Анализ рынка IRF1302@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF1302

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 104A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
180A
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
3600pF @ 25V
Power - Max
230W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Other Names
*IRF1302PBF
обновлено 26-10-2020
IRF1302%40INFIN