IRF1104L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1104L@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF1104L фото 1 IRF1104L фото 1
IRF1104L

Анализ рынка IRF1104L@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF1104L

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Catalog Drawings
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
MOSFETs, GaNFETs - Single
Series
HEXFET®
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 60A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
93nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
100A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
2900pF @ 25V
Power - Max
2.4W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 (Straight Leads)
Supplier Device Package
*
Other Names
*IRF1104LPBF
обновлено 26-10-2020
IRF1104L%40INFIN