IRF1018E

Купить со склада от 29,60 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 60В; 79А; 110Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1018E@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.8850 грамм
IRF1018E фото 1 IRF1018E фото 1
IRF1018E фото 2 IRF1018E фото 2
IRF1018E фото 3 IRF1018E фото 3
IRF1018E

Анализ рынка IRF1018E@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
1-2
1258
от 1000
29,60 p
Склад
6
10384
от 10000
29,90 p
Склад
8
10984
от 10000
35,90 p
Склад
9
762
от 500
34,80 p
Склад
9
4500
от 1000
50,90 p
Склад
185
6000
от 1000
30,80 p
Завод
 

Технические характеристики IRF1018E

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Drain Current (Max)
79 A
Frequency (Max)
Not Required MHz
Gate-Source Voltage (Max)
±20(V)
Output Power (Max)
Not Required W
Power Dissipation
110(W)
Mounting
Through Hole
Noise Figure
Not Required dB
Drain-Source On-Res
0.0084(ohm)
Operating Temp Range
-55C to 175C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3 +Tab
Polarity
N
Type
Power MOSFET
Number of Elements
1
Operating Temperature Classification
Military
Channel Mode
Enhancement
Drain Efficiency
Not Required %
Drain-Source On-Volt
60(V)
Power Gain
Not Required dB
Rad Hardened
No
Continuous Drain Current
79(A)
DELETED
Compliant
обновлено 31-10-2020
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 622277 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 29.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 161823 шт.

IRF1018E%40INFIN