IRF1010EZS

МОП-транзистор MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1010EZS@INFIN Model # Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF1010EZS фото 1 IRF1010EZS фото 1
IRF1010EZS фото 2 IRF1010EZS фото 2
IRF1010EZS фото 3 IRF1010EZS фото 3
IRF1010EZS

Анализ рынка IRF1010EZS@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF1010EZS

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
75 A
Rds On - Drain-Source Resistance
8.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
58 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single
Fall Time
54 ns
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
140 W
Rise Time
90 ns
Factory Pack Quantity
3200
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
38 ns
Typical Turn-On Delay Time
19 ns
Width
9.25 mm
обновлено 26-10-2020
IRF1010EZS%40INFIN