IRF1010EZL

МОП-транзистор MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1010EZL@INFIN Model # PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF1010EZL фото 1 IRF1010EZL фото 1
IRF1010EZL фото 2 IRF1010EZL фото 2
IRF1010EZL

Анализ рынка IRF1010EZL@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IRF1010EZL

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN Obsolescence EOL
Multiple Devices 25Apr2014
PCN AssemblyOrigin
Backend Wafer Transfer 23Oct2013
Standard Package
50
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
FETs - Single
Series
HEXFET®
Packaging
Tube
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs
86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
2810pF @ 25V
Power - Max
140W
Mounting Type
Through Hole
Package Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
Other Names
*IRF1010EZLPBF
обновлено 26-10-2020
IRF1010EZL%40INFIN