BSC020N03MSG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 25A I(D), 30V, 0.0025OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
BSC020N03MSG

Анализ рынка BSC020N03MSG@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики BSC020N03MSG

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
25 A
Rds On - Drain-Source Resistance
1.7 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
60 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Packaging
Reel
Height
1.27 mm
Length
5.9 mm
Series
OptiMOS 3M
Transistor Type
1 N-Channel
Width
5.15 mm
Brand
Infineon Technologies
Forward Transconductance - Min
60 S
Fall Time
14 ns
Pd - Power Dissipation
96 W
Rise Time
14 ns
Factory Pack Quantity
5000
Typical Turn-Off Delay Time
36 ns
Typical Turn-On Delay Time
27 ns
Part # Aliases
BSC020N03MSGATMA1 BSC2N3MSGXT SP000311503
обновлено 24-03-2024
BSC020N03MSG%40INFIN