IPP530N15N3G

N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP530N15N3GXKSA1

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IPP530N15N3G

Анализ рынка IPP530N15N3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IPP530N15N3G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150 V
Id - Continuous Drain Current
21 A
Rds On - Drain-Source Resistance
53 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
3 ns
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
68 W
Rise Time
9 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
500
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
13 ns
Typical Turn-On Delay Time
9 ns
Width
4.4 mm
Part # Aliases
IPP530N15N3GXK IPP530N15N3GXKSA1 SP000521722
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 24-03-2024
IPP530N15N3G%40INFIN