IPP320N20N3G

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 34A I(D), 200V, 0.032OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IPP320N20N3G

Анализ рынка IPP320N20N3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IPP320N20N3G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
34 A
Rds On - Drain-Source Resistance
28 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Qg - Gate Charge
29 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
4 ns
Forward Transconductance - Min
27 S
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
136 W
Rise Time
9 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
500
Transistor Type
1 N-Channel
Type
OptiMOS 3 Power-Transistor
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
Width
4.4 mm
Part # Aliases
IPP320N20N3GXK IPP320N20N3GXKSA1 SP000677842
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 24-03-2024
IPP320N20N3G%40INFIN