IPB80N06S2-05

Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IPB80N06S2-05@INFIN Model # PDF даташит
IPB80N06S2-05 фото 1 IPB80N06S2-05 фото 1
IPB80N06S2-05 фото 2 IPB80N06S2-05 фото 2
IPB80N06S2-05

Анализ рынка IPB80N06S2-05@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Завод
 

Технические характеристики IPB80N06S2-05

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Id - Continuous Drain Current
80 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55 V
Rds On - Drain-Source Resistance
4.8 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
300 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
D2PAK-3
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
20 ns
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
21 ns
Series
OptiMOS
Factory Pack Quantity
1000
Tradename
OptiMOS
Typical Turn-Off Delay Time
54 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
VendorNumber
6383
Part # Aliases
IPB80N06S205ATMA1 IPB80N06S205XT SP000218877
обновлено 28-11-2020
IPB80N06S2-05%40INFIN