IPB320N20N3G

Купить со склада от 347,00 руб

Infineon IPB320N20N3GATMA1 МОП-транзистор (MOSFET)

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IPB320N20N3G

Анализ рынка IPB320N20N3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
28
4188
от 2000
347,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IPB320N20N3G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
34 A
Rds On - Drain-Source Resistance
28 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Qg - Gate Charge
29 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
4 ns
Forward Transconductance - Min
27 S
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
136 W
Rise Time
9 ns
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Type
OptiMOS 3 Power-Transistor
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
Width
9.25 mm
Part # Aliases
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GXT SP000691172
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 5796779 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 347.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 4188 шт.

IPB320N20N3G%40INFIN