Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
IPB038N12N3G
Купить со склада от 671,00 рубMOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK -2 OptiMOS 3
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка IPB038N12N3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
28
6766
от 2000
671,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IPB038N12N3G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
120 V
Id - Continuous Drain Current
120 A
Rds On - Drain-Source Resistance
3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V
Qg - Gate Charge
211 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
21 ns
Forward Transconductance - Min
83 S
Height
4.4 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
300 W
Rise Time
52 ns
Series
OptiMOS 3
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
70 ns
Typical Turn-On Delay Time
35 ns
Width
9.25 mm
Part # Aliases
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GXT SP000694160
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
5796721
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 671.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 6766 шт.
IPB038N12N3G%40INFIN