BSC100N06LS3G

N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC100N06LS3GATMA1

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
BSC100N06LS3G

Анализ рынка BSC100N06LS3G@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики BSC100N06LS3G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TDSON-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
50 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qg - Gate Charge
45 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
8 ns
Forward Transconductance - Min
32 S
Height
1.27 mm
Length
5.9 mm
Pd - Power Dissipation
50 W
Rise Time
58 ns
Factory Pack Quantity
5000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
19 ns
Typical Turn-On Delay Time
8 ns
Width
5.15 mm
Part # Aliases
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GXT SP000453664
обновлено 24-03-2024
BSC100N06LS3G%40INFIN