FDD86102

Купить со склада от 130,00 руб

Транзистор полевой N-канальный 100В 8А

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
FDD86102

Анализ рынка FDD86102@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
55000
от 10000
144,00 p
Склад
26
9945
от 5000
130,00 p
Склад
28
30635
от 10000
176,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
30
7500
от 1000
145,00 p

Технические характеристики FDD86102

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
PowerTrenchВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
8A (Ta), 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1035pF @ 50V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252)
Package Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 5775738 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 130.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 117976 шт.

FDD86102%40ONS