NUD3112DMT1G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF NUD3112DMT1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
NUD3112DMT1G фото 1 NUD3112DMT1G фото 1
NUD3112DMT1G фото 2 NUD3112DMT1G фото 2
NUD3112DMT1G фото 3 NUD3112DMT1G фото 3
NUD3112DMT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NUD3112DMT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SC-70-6
Number of Channels
2 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
14 V
Id - Continuous Drain Current
500 mA
Rds On - Drain-Source Resistance
900 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Dual
Fall Time
61 ns
Height
0.94 mm
Length
3 mm
Pd - Power Dissipation
380 mW
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
61 ns
Series
NUD3112
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
2 N-Channel
Width
1.5 mm
Unit Weight
0.000988 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510965 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 21848 шт.

NUD3112DMT1G%40ONS