NTD2955-1G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF NTD2955-1G@ONS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
NTD2955-1G фото 1 NTD2955-1G фото 1
NTD2955-1G фото 2 NTD2955-1G фото 2
NTD2955-1G фото 3 NTD2955-1G фото 3
NTD2955-1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NTD2955-1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 60 V
Id - Continuous Drain Current
- 12 A
Rds On - Drain-Source Resistance
155 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
48 ns
Forward Transconductance - Min
8 S
Height
6.35 mm
Length
6.73 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd - Power Dissipation
55 W
Rise Time
45 ns
Series
NTD2955
Factory Pack Quantity
75
Transistor Type
1 P-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
26 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
2.38 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-03-05 09:04:49
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510941 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 46155 шт.

NTD2955-1G%40ONS