NJT4030PT1G

Купить со склада от 8,81 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF NJT4030PT1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
NJT4030PT1G фото 1 NJT4030PT1G фото 1
NJT4030PT1G фото 2 NJT4030PT1G фото 2
NJT4030PT1G фото 3 NJT4030PT1G фото 3
NJT4030PT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NJT4030PT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
6.70 x 3.70 x 1.65 mm
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum DC Current Gain
100
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SOT-223
Pin Count
4
Transistor Material
Si
Transistor Type
PNP
Width
3.7 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:49
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510887 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 8.81RUB руб. Купить

Доступное количество: 140659 шт.

NJT4030PT1G%40ONS