NID9N05CLT4G

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF NID9N05CLT4G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
NID9N05CLT4G фото 1 NID9N05CLT4G фото 1
NID9N05CLT4G фото 2 NID9N05CLT4G фото 2
NID9N05CLT4G фото 3 NID9N05CLT4G фото 3
NID9N05CLT4G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NID9N05CLT4G
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current
9 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
52 V
Rds On - Drain-Source Resistance
90 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
15 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Pd - Power Dissipation
1.74 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
DPAK-3
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
1800 ns
Forward Transconductance - Min
24 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
500 ns
Series
NID9N05CL
Factory Pack Quantity
2500
Typical Turn-Off Delay Time
2.5 us
обновлено 2017-03-05 09:04:49

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

NID9N05CLT4G%40ONS