MTB50P03HDLT4G

Купить со склада от 178,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MTB50P03HDLT4G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MTB50P03HDLT4G фото 1 MTB50P03HDLT4G фото 1
MTB50P03HDLT4G фото 2 MTB50P03HDLT4G фото 2
MTB50P03HDLT4G фото 3 MTB50P03HDLT4G фото 3
MTB50P03HDLT4G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MTB50P03HDLT4G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
Id - Continuous Drain Current
- 50 A
Rds On - Drain-Source Resistance
25 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
15 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single
Fall Time
218 ns
Forward Transconductance - Min
20 S
Height
4.83 mm
Length
10.29 mm
Pd - Power Dissipation
125 W
Rise Time
340 ns
Series
MTB50P03HDL
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 P-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
90 ns
Typical Turn-On Delay Time
22 ns
Width
9.65 mm
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 2017-07-09 07:16:59
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510765 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 178.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1593 шт.

MTB50P03HDLT4G%40ONS