MTB50P03HDLG

Купить со склада от 188,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MTB50P03HDLG@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MTB50P03HDLG фото 1 MTB50P03HDLG фото 1
MTB50P03HDLG фото 2 MTB50P03HDLG фото 2
MTB50P03HDLG фото 3 MTB50P03HDLG фото 3
MTB50P03HDLG
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MTB50P03HDLG
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFETs
RoHS
No
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
P-Channel
Package Case
D2PAK
Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Continuous Drain Current
50 A
Power Dissipation
125000 mW
Forward Transconductance gFS (Max Min)
20 S
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.025 Ohm @ 5 V
Typical Fall Time
218 ns
Typical Rise Time
340 ns
Typical Turn-Off Delay Time
90 ns
Packaging
Tube
Gate-Source Breakdown Voltage
15 V
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Type
MOSFET
обновлено 2017-07-23 07:31:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510764 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 188.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 510 шт.

MTB50P03HDLG%40ONS