MMBT918LT1G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MMBT918LT1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MMBT918LT1G фото 1 MMBT918LT1G фото 1
MMBT918LT1G фото 2 MMBT918LT1G фото 2
MMBT918LT1G фото 3 MMBT918LT1G фото 3
MMBT918LT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MMBT918LT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Type
NPN
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Emitter Voltage - (V)
15
Maximum Collector Base Voltage - (V)
30
Maximum Emitter Base Voltage - (V)
3
Maximum DC Collector Current - (A)
0.05
Maximum Power Dissipation - (mW)
300
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
556?CW
Minimum DC Current Gain
20@3mA@1V
Minimum DC Current Gain Range
2 to 30
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage - (V)
0.4@1mA@10mA
Maximum Base Emitter Saturation Voltage - (V)
1@1mA@10mA
Maximum Transition Frequency - (MHz)
600(Min)
Maximum Noise Figure - (dB)
6
Typical Input Capacitance - (pF)
2(Max)
Typical Output Capacitance - (pF)
3(Max)
Operating Temperature - (?C)
-55~150
Output Power - (W)
0.03(Min)
Operational Bias Conditions
6V8mA
Typical Power Gain - (dB)
11(Min)
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Supplier Package
SOT-23
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
обновлено 2017-07-09 07:16:59
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510572 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 507670 шт.

MMBT918LT1G%40ONS