MJE5742G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJE5742G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJE5742G фото 1 MJE5742G фото 1
MJE5742G фото 2 MJE5742G фото 2
MJE5742G фото 3 MJE5742G фото 3
MJE5742G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJE5742G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Base Current
2.5 A
Configuration
Common Base
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Height
15.75 mm
Length
10.28 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
3.5 V
Maximum Collector Cutoff Current
5 mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Emitter Base Voltage
8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum DC Current Gain
50
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-65 to +150 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Transistor Type
NPN
Width
4.82 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:49
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510495 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 69747 шт.

MJE5742G%40ONS