MJE5730G

Купить со склада от 67,90 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJE5730G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MJE5730G фото 1 MJE5730G фото 1
MJE5730G фото 2 MJE5730G фото 2
MJE5730G фото 3 MJE5730G фото 3
MJE5730G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJE5730G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
300 V
Collector- Base Voltage VCBO
300 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum DC Collector Current
1 A
Gain Bandwidth Product fT
10 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJE5730
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
1 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
30
Height
15.75 mm
Length
10.53 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
40 W
Factory Pack Quantity
50
Width
4.83 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 2017-07-27 11:01:15
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510493 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 67.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 376 шт.

MJE5730G%40ONS