MJE4343G
Купить со склада от 541,00 рубBipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 16 A, 125 W, TO-218, Through Hole
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка MJE4343G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
30
372
от 112
541,00 p
Склад
29
540
от 360
636,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
28
143
от 120
704,00 p
Технические характеристики MJE4343G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Collector Current (DC) (Max)
16 A
Collector-Base Voltage
160(V)
Collector-Emitter Voltage
160(V)
Emitter-Base Voltage
7(V)
Frequency (Max)
1 MHz
Power Dissipation
125(W)
Mounting
Through Hole
Operating Temp Range
-65C to 150C
Package Type
TO-247
Packaging
RailTube
Pin Count
3 +Tab
Number of Elements
1
DC Current Gain (Min)
15
Operating Temperature Classification
Military
Category
Bipolar Power
Rad Hardened
No
Transistor Polarity
NPN
Frequency
1(MHz)
DC Current Gain
15
Collector Current (DC)
16(A)
Output Power
Not Required(W)
Configuration
Single
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
510490
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 541.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 1092 шт.
MJE4343G%40ONS