MJD253G
Купить со склада от 32,70 рубБиполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 12.5Вт
Техническая документация:
Масса товара:
0.6244 грамм
Анализ рынка MJD253G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
26
4372
от 2500
38,00 p
Склад
28
43214
от 25000
32,70 p
Склад
Склад
Склад
Склад
30
2266
от 1778
33,50 p
Технические характеристики MJD253G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3 (DPAK)
Transistor Polarity
PNP
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum DC Collector Current
4 A
Gain Bandwidth Product fT
40 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJD253
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
4 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
40
Height
2.38 mm
Length
6.73 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
12.5 W
Factory Pack Quantity
2500
Width
6.22 mm
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
510452
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 32.70RUB руб. Купить
Доступное количество: 57144 шт.
MJD253G%40ONS