MJD200G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD200G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0 грамм
MJD200G фото 1 MJD200G фото 1
MJD200G фото 2 MJD200G фото 2
MJD200G фото 3 MJD200G фото 3
MJD200G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD200G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3 (DPAK)
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
25 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
8 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum DC Collector Current
5 A
Gain Bandwidth Product fT
65 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJD200
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
5 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
70
Height
2.38 mm
Length
6.73 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
12.5 W
Factory Pack Quantity
75
Width
6.22 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:49
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510447 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 20845 шт.

MJD200G%40ONS