MJD200G

Купить со склада от 38,00 руб

ON Semiconductor MJD200G Транзистор

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0.7455 грамм
MJD200G

Анализ рынка MJD200G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
26
1859
от 1050
52,40 p
Склад
26
4287
от 3600
52,10 p
Склад
26
3788
от 2500
41,60 p
Склад
26
5131
от 1000
58,20 p
Склад
26
11415
от 10000
38,00 p
Склад
28
3583
от 2500
42,20 p

Технические характеристики MJD200G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
RoHS
Подробности
Торговая марка
ON Semiconductor
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
NPN
Напряжение коллектор-база (VCBO)
40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
8 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 V
Максимальный постоянный ток коллектора
5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
65 MHz
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Вид монтажа
SMDSMT
Упаковка блок
TO-252-3 (DPAK)
Коллектор постоянного токаМин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
70
Максимальное рассеяние мощности
12.5 W
Минимальная рабочая температура
- 65 C
Упаковка
Reel
Серия
MJD200
Размер фабричной упаковки
1800
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510447 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 38.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 57080 шт.

MJD200G%40ONS