MJD112-1G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD112-1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
MJD112-1G фото 1 MJD112-1G фото 1
MJD112-1G фото 2 MJD112-1G фото 2
MJD112-1G фото 3 MJD112-1G фото 3
MJD112-1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD112-1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Составные транзисторы - транзисторы Дарлингтона
RoHS
Подробности
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Максимальный ток отсечки коллектора
20 uA
Рассеяние мощности
20 W
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Вид монтажа
SMDSMT
Упаковка блок
TO-252-3 (DPAK)
Упаковка
Tube
Непрерывный коллекторный ток
2 A
Коллектор постоянного токаМин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура
- 65 C
Размер фабричной упаковки
75
обновлено 2017-07-27 11:01:15
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510441 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1060621 шт.

MJD112-1G%40ONS