MJ11012G

Купить со склада от 844,00 руб

Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 60В; 30А; 200Вт; TO3

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
MJ11012G

Анализ рынка MJ11012G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
30
1413
от 1000
896,00 p
Склад
26
200
от 200
844,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
26
1413
от 1000
1 025,00 p

Технические характеристики MJ11012G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Package Type
TO-3
Polarity
NPN
Operating Temperature Classification
Military
Packaging
Tray
Number of Elements
1
Base-Emitter Saturation Voltage (Max)
3.5(V)
Collector-Emitter Voltage
60(V)
Operating Temp Range
-55C to 200C
Pin Count
2 +Tab
DC Current Gain
1000
Collector-Base Voltage
60(V)
Emitter-Base Voltage
5(V)
Rad Hardened
No
Collector Current (DC)
30(A)
Mounting
Through Hole
Collector-Emitter Saturation Voltage
3(V)
Power Dissipation
200(W)
Configuration
Single
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510417 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 844.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 3085 шт.

MJ11012G%40ONS