MJ11012G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJ11012G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MJ11012G фото 1 MJ11012G фото 1
MJ11012G фото 2 MJ11012G фото 2
MJ11012G фото 3 MJ11012G фото 3
MJ11012G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJ11012G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Darlington Transistors
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Maximum DC Collector Current
30 A
Pd - Power Dissipation
200 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-204-2 (TO-3)
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJ11012
Packaging
Tray
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
30 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
200, 1000
Height
8.51 mm
Length
39.37 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack Quantity
100
Width
26.67 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:59
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510417 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2196 шт.

MJ11012G%40ONS