MGSF1N02LT1G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MGSF1N02LT1G@ONS - SIMULATION<br> модель симуляции
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MGSF1N02LT1G фото 1 MGSF1N02LT1G фото 1
MGSF1N02LT1G фото 2 MGSF1N02LT1G фото 2
MGSF1N02LT1G фото 3 MGSF1N02LT1G фото 3
MGSF1N02LT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MGSF1N02LT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
3,000
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 5V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 1.2A, 10V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
обновлено 2017-03-05 09:04:49
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510415 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 10828 шт.

MGSF1N02LT1G%40ONS