2N7002ET1G

Купить со склада от 0,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N7002ET1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
2N7002ET1G фото 1 2N7002ET1G фото 1
2N7002ET1G фото 2 2N7002ET1G фото 2
2N7002ET1G фото 3 2N7002ET1G фото 3
2N7002ET1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N7002ET1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
3,000
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
260mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.81nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
26.7pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Package Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
обновлено 2017-07-27 11:01:14
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509555 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 1884297 шт.

2N7002ET1G%40ONS