2N6052G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF 2N6052G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
2N6052G фото 1 2N6052G фото 1
2N6052G фото 2 2N6052G фото 2
2N6052G фото 3 2N6052G фото 3
2N6052G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики 2N6052G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
Darlington Transistors
RoHS
Details
Configuration
Single
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Cut-off Current
1000 uA
Pd - Power Dissipation
150 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-204-2 (TO-3)
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
2N6052
Packaging
Tray
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
12 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
100, 750
DC Current Gain hFE Max
18000
Height
8.51 mm
Length
39.37 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack Quantity
100
Width
26.67 mm
обновлено 2017-03-05 09:04:49
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509523 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 2058 шт.

2N6052G%40ONS