Товаров: 5 069 782 от 3171
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-20 01:38
2N5657G
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V, TO-225-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:5hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:2NXXXX Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка 2N5657G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики 2N5657G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-225-3
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
Collector- Base Voltage VCBO
375 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum DC Collector Current
0.5 A
Gain Bandwidth Product fT
10 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
2N5657
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
0.5 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
30
Height
11.04 mm (Max)
Length
7.74 mm (Max)
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Bulk
Pd - Power Dissipation
20 W
Factory Pack Quantity
500
Width
2.66 mm (Max)
обновлено 20-04-2024
2N5657G%40ONS