SUM110N06-3M9H

MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 0.00325Ohm; ID 110A; TO-263; PD 375W; VGS +/-20V

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
SUM110N06-3M9H

Анализ рынка SUM110N06-3M9H@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики SUM110N06-3M9H

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Application
Automotive such as high-side switch, motor drives, 12 V battery
BrandSeries
TrenchFET® Series
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
110 A
Dimensions
10.414 x 9.652 x 4.826 mm
Fall Time
14 nS
Gate Charge, Total
200 nC
Length
10.414 mm
Mounting and Package Type
PCB Mount and TO-263
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Operating and Storage Temperature
-55 to +175 °C
Package Type
TO-263
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
375 W
Resistance, Drain to Source On
0.0082 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
0.4 °C⁄W
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
40 °C⁄W
Time, Turn-Off Delay
75 ns
Time, Turn-On Delay
45 ns
Transconductance, Forward
30 S
Typical Gate Charge @ Vgs
200 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
60 V
Voltage, Diode Forward
1.5 V
Voltage, Drain to Source
60 V
Voltage, Forward, Diode
1.1 V
обновлено 24-03-2024
SUM110N06-3M9H%40VISHAY