SI7844DP

Купить со склада от 99,40 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI7844DP@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
SI7844DP фото 1 SI7844DP фото 1
SI7844DP фото 2 SI7844DP фото 2
SI7844DP фото 3 SI7844DP фото 3
SI7844DP
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI7844DP
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Gate, Dual Source, Quad Drain
Dimensions
5.99 x 5 x 1.07 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
22 S
Height
1.07 mm
Length
5.99 mm
Maximum Continuous Drain Current
6.4 A
Maximum Drain Source Resistance
0.03 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
PowerPAK-SO-8
Pin Count
8
Series
TrenchFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC &&64; 10 V
Typical Turn On Delay Time
8 ns
Typical TurnOff Delay Time
21 ns
Width
5 mm
обновлено 2017-07-09 07:16:54
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 499118 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 99.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 159 шт.

SI7844DP%40VISHAY