SI4922BDY

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI4922BDY@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
SI4922BDY фото 1 SI4922BDY фото 1
SI4922BDY фото 2 SI4922BDY фото 2
SI4922BDY фото 3 SI4922BDY фото 3
SI4922BDY
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI4922BDY
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
TrenchFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
2
Maximum Drain Source Voltage - (V)
30
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?12
Maximum Continuous Drain Current - (A)
8
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
16@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
41@10VI19@4.5V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
41
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
2070@15V
Maximum Power Dissipation - (mW)
2000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-50
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Supplier Package
SOIC N
Standard Package Name
SOP
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-07-23 07:31:46
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 499060 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 46722 шт.

SI4922BDY%40VISHAY