SI4850EY
Купить со склада от 140,00 рубТранзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 7,1А, 3,3Вт, SO8
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка SI4850EY@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
20
от 20
148,00 p
Склад
26
6145
от 5000
140,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
34
2500
от 1000
146,00 p
Технические характеристики SI4850EY
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Process Technology
TrenchFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
60
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
3
Maximum Continuous Drain Current - (A)
6
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
22@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
18@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
18
Typical Output Capacitance - (pF)
110
Maximum Power Dissipation - (mW)
1700
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Supplier Package
SOIC N
Standard Package Name
SOP
Military
No
Automotive
No
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
499056
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 140.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 16606 шт.
SI4850EY%40VISHAY