SI4804BDY

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF SI4804BDY@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
SI4804BDY фото 1 SI4804BDY фото 1
SI4804BDY фото 2 SI4804BDY фото 2
SI4804BDY фото 3 SI4804BDY фото 3
SI4804BDY
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI4804BDY
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOIC-8
Number of Channels
2 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
5.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance
22 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Dual
Fall Time
10 ns
Height
1.55 mm
Length
5 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd - Power Dissipation
1.1 W
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
10 ns
Series
SI4
Factory Pack Quantity
2500
Tradename
TrenchFET
Transistor Type
2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
19 ns
Typical Turn-On Delay Time
9 ns
Width
4 mm
Part # Aliases
SI4804BDY-E3
Unit Weight
0.006596 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:46

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

SI4804BDY%40VISHAY