Товаров: 5 069 782 от 3171
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-20 01:38
SI4464DY
Купить со склада от 128,00 рубN CHANNEL MOSFET, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.7A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):195mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power Dissipation Pd:2.5W , RoHS Compliant: Yes
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка SI4464DY@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
29
15000
от 10000
161,00 p
Склад
28
6916
от 5000
130,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Сегодня
60
от 60
168,00 p
Технические характеристики SI4464DY
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
TrenchFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
обновлено 20-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
499039
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 128.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 22480 шт.
SI4464DY%40VISHAY