SI4456DY

N CHANNEL MOSFET, 40V, 33A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:33A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):4.5mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V, Threshold Voltage Vgs:2.8V, Product Range:- , RoHS Compliant: Yes

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology www.vishay.com

🌏

Сайт
Vishay Intertechnology

Техническая документация:

Другие
названия этого товара:

SI4456DY-T1-E3
SI4456DY-T1-GE3

SI4456DY

Анализ рынка SI4456DY@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Технические характеристики SI4456DY

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Manufacturer

Vishay Siliconix

Series

TrenchFETВ®

Packaging

Cut Tape (CT)

Part Status

Active

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

33A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (Max)

В±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5670pF @ 20V

FET Feature

Power Dissipation (Max)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

8-SO

Package Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

обновлено 20-04-2024

SI4456DY%40VISHAY