SI3900DV

Купить со склада от 26,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI3900DV@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
SI3900DV фото 1 SI3900DV фото 1
SI3900DV фото 2 SI3900DV фото 2
SI3900DV фото 3 SI3900DV фото 3
SI3900DV
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI3900DV
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TSOP-6
Number of Channels
2 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
2 A
Rds On - Drain-Source Resistance
125 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
12 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Dual
Fall Time
30 ns
Height
1 mm
Length
3.05 mm
Pd - Power Dissipation
830 mW
Product
MOSFET Small Signal
Rise Time
30 ns
Series
SI3
Factory Pack Quantity
3000
Tradename
TrenchFET
Transistor Type
2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
14 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
1.65 mm
Part # Aliases
SI3900DV-E3
Unit Weight
0.000705 oz
обновлено 2017-07-09 07:16:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 499019 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 26.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 26643 шт.

SI3900DV%40VISHAY