SI3552DV

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
PDF SI3552DV@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
SI3552DV фото 1 SI3552DV фото 1
SI3552DV фото 2 SI3552DV фото 2
SI3552DV фото 3 SI3552DV фото 3
SI3552DV
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI3552DV
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
TrenchFET® Series
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N, P
Configuration
Single
Current, Drain
-1.8, 2.5 A
Dimensions
3.1 x 1.7 x 1 mm
Gate Charge, Total
2.12.4 nC
Height
1 mm
Length
3.1 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Number of Pins
6
Package Type
TSOP
Polarization
N-Channel and P-Channel
Power Dissipation
1.15 W
Resistance, Drain to Source On
0.175, 0.36 Ω
Temperature, Operating
-55 to 150 °C
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
130 °CW
Time, Turn-Off Delay
12, 13 ns
Time, Turn-On Delay
7, 8 ns
Transconductance, Forward
2.4, 4.3 S
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC &&64; 5 V, 2.4 nC &&64; 5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
30-30 V
Voltage, Diode Forward
-1.1, 1.1 V
Voltage, Drain to Source
-30, 30 V
Voltage, Forward, Diode
0.81-0.83 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
1.7 mm
обновлено 2017-07-27 11:01:10
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 499016 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 74541 шт.

SI3552DV%40VISHAY