SI3460BDV
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка SI3460BDV@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики SI3460BDV
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
TrenchFETВ®
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 8V
Vgs (Max)
В±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Package Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
обновлено 24-03-2024
SI3460BDV%40VISHAY