SI3433BDV

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF SI3433BDV@VISHAY PDF даташит
Другие
названия этого товара:
SI3433BDV фото 1 SI3433BDV фото 1
SI3433BDV фото 2 SI3433BDV фото 2
SI3433BDV фото 3 SI3433BDV фото 3
SI3433BDV
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики SI3433BDV
Категория продукта
P-Channel MOSFETs
RoHS
Подробности
Полярность транзистора
P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
+- 8 V
Id - непрерывный ток утечки
4.3 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
42 mOhms
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Pd - рассеивание мощности
1.1 W
Вид монтажа
SMDSMT
Упаковка блок
TSOP-6
Упаковка
Reel
Торговая марка
Vishay Siliconix
Канальный режим
Enhancement
Время спада
45 ns
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Время нарастания
45 ns
Размер фабричной упаковки
3000
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Типичное время задержки выключения
80 ns
Другие названия товара №
SI3433BDV-E3
обновлено 2017-07-23 07:31:46

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

SI3433BDV%40VISHAY